ROHM Semiconductor R8019KNXC7G n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von 800 V, 19 A

ROHM Semiconductor R8019KNXC7G n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von 800 V, 19 A sind Bauteile mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen R_{DS(on) von 0,265 Ω}(max.), eine Verlustleistung von 83 W und einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Der R8019KNXC7G Nch 800 V 19 A wird mit einer bleifreien Beschichtung geliefert und ist RoHs-konform. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine Parallelnutzung, die benutzerfreundlich ist und sich ideal für Schaltapplikationen eignet.