ROHM Semiconductor UCR10C Hochleistungs-Sintermetall Nebenwiderstände

ROHM Semiconductor UCR10C Hochleistungs-Sintermetall Nebenwiderstände mit Hochleistungsdichte, niedrigem Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR), und Hochzuverlässigkeit für Stromsensoren-Applikationen. Für 2012-große Nebenwiderstände liefert die UCR10C-Baureihe Nennleistungen von 1 W und 1,25 W, um den steigenden Leistungsbedarf in Fahrzeug- und Industrieanlagen sowie in der Unterhaltungselektronik zu decken. Die Widerstände bieten eine höhere Leistungsdichte als herkömmliche Dickschicht- und Metallplatten-Nebenwiderstände ähnlicher Größe. Dies wird erreicht, indem ein Widerstandselement auf Kupferbasis auf einem Aluminiumoxidsubstrat mittels eines Sinterprozesses hergestellt und die Dissipation optimiert wird. Das niedrige TCR des Metallelementes hilft, einen stabilen Widerstand und genaue Stromsensoren bei Temperaturänderungen aufrechtzuerhalten. Typische Applikationen sind Batteriemanagementsysteme (BMS), Energiespeichersysteme (Speicher) und Haushaltsgeräte.