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Texas Instruments TPSI2240-Q1 Verstärkte Solid-State-Relais

Texas Instruments TPSI2240-Q1 verstärkte Solid-State-Relais sind für Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt. Das TPSI2240-Q1 nutzt eine hochzuverlässige, kapazitiv verstärkte Isolierungstechnologie in Kombination mit internen Back-to-Back-MOSFETs, um eine vollständig integrierte Lösung zu erstellen, die keine sekundärseitige Stromversorgung erfordert.

Die Primärseite des TPSI2240-Q1 zieht einen Eingangsstrom von nur 5 mA und verfügt über einen ausfallsicheren EN-Pin, der eine Rückspeisung der VDD-Versorgung verhindert. Der VDD-Pin sollte an eine Systemversorgung zwischen 4,5 V und 20 V angeschlossen werden und der EN-Pin sollte in den meisten Applikationen von einem GPIO-Ausgang mit Logik-HI zwischen 2,1 V und 20 V angesteuert werden. In anderen Applikationen können die VDD- und EN-Pins gleichzeitig direkt von der Systemversorgung oder von einem GPIO-Ausgang angesteuert werden. Für alle Steuerungskonfigurationen des TPSI2240-Q1 werden keine zusätzlichen externen Komponenten benötigt, beispielsweise ein Widerstand und/oder ein Low-Side-Schalter, die normalerweise erforderlich sind.

Die Sekundärseite besteht aus Back-to-Back-MOSFETs mit einer Sperrspannung von ±1,2 kV zwischen S1 bis S2. Die Avalanche-Robustheit und das wärmeempfindliche Gehäusedesign des TI TPSI2240-Q1 MOSFET ermöglichen eine solide Unterstützung von dielektrischen Widerstandstests (HiPot) auf Systemebene und DC-Ladegerät-Stoßstrom bis zu 1 mA (0,6 mA für TPSI2240C-Q1 und 3 mA für TPSI2240T-Q1) ohne externe Komponenten.

Der TI TPSI2240-Q1 ist nach AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen qualifiziert.

Merkmale

  • Qualifiziert für Fahrzeuganwendungen
    • AEC-Q100 Klasse 1: -40 °C bis +125 °C TA
  • Niedrige EMI:
    • Erfüllt die Anforderungen der CISPR25 Klasse 5 für das Betriebsverhalten ohne zusätzliche Bauelemente
  • Integrierte Avalanche-fähige MOSFETs
    • Ausgelegt und qualifiziert für Zuverlässigkeit bei dielektrischen Spannungsfestigkeitsprüfungen (Hi-Pot).
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1 mA für 60 s Impulse
      • TPSI2240C-Q1 IAVA = 0,6 mA für 60 s Impulse
      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3 mA für 60 s Impulse
    • 1200 V Sperrspannung
    • Ron = 130 Q (Tj = 25 °C)
    • TON, TOFF <700>
    • IOFF = 1,22 A bei 1.000 V (Tj = 105 °C)
  • Niedriger primärseitiger Versorgungsstrom
    • 3,5 pA Sperrstrom (Tj = 25 °C)
  • Funktionssicherheitsfunktionen
    • Verfügbare Dokumentation zur Unterstützung beim Systemdesign nach ISO 26262 und IEC 61508
  • Robuste Isolationsbarriere:
    • >30 Jahre voraussichtliche Lebensdauer bei 1.500 VRMS / 2120 Vpc Betriebsspannung
    • Verstärkte Nennisolierung Viso, bis zu 4.750 VRMS
  • SOIC 11-Pin-Gehäuse (DWQ) mit breiten Pins für verbessertes Betriebsverhalten
    • Kriech- und Luftstrecke >8 mm (primär-sekundär)
    • Kriech- und Luftstrecke >6 mm (über Schalteranschlüsse)
  • Sicherheitsbezogene Zulassungen
    • (Geplant) DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • (Geplant) UL 1577 Komponenten-Erkennungsprogramm

Applikationen

  • Solid-State-Relais
  • Hybrid-, Elektro- und Antriebssysteme
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Energiespeichersysteme (ESS)
  • Solarenergie
  • On-Board-Ladegerät
  • EV-Ladeinfrastruktur

Vereinfachter Applikationsschaltplan

Schaltplan - Texas Instruments TPSI2240-Q1 Verstärkte Solid-State-Relais

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments TPSI2240-Q1 Verstärkte Solid-State-Relais
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-10 | Aktualisiert: 2026-02-16