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Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 3 μs aus. Diese MOSFETs bieten außerdem einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 268 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 52 A (Tc = 25 °C). Die MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in den Gehäusen TO-247 3 L, TO-247 4 L und TO-263 7 L erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

Merkmale

  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit
  • 1.200 V Drain-Source-Spannung
  • 56 W bis 268 W maximaler Leistungsverlust (Tc = 25 °C)
  • 10,5 A bis 52 W Dauersenkenstrom (Tc = 25 °C)
  • -55 °C bis 150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
  • Blei- und halogenfrei
  • Erhältlich in den Gehäusen TO-247 3 L-, TO-247 4 L- oder TO-263 7 L
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Ladegeräte
  • DC/DC-Wandler
  • Hilfsmotorantriebe

Videos

Pin-Diagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-12 | Aktualisiert: 2026-02-13