Vishay Semiconductors TCMT111x Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler

Der TCMT111x Einkanal-Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler von Vishay Semiconductors besteht aus einem optisch an eine Infrarot-emittierende Galliumarsenid-Diode gekoppelten Fototransistor in einem 4-poligen Gehäuse. Diese Bauteile haben eine AC-Isolationsprüfspannung von 3.750 VRMS und eine niedrige Kopplungskapazität von 0,3 pF (typ.). Der TCMT111x von Vishay Semiconductors verfügt über einen breiten Betriebsumgebungstemperaturbereich (Tamb) von -40 °C bis +110 °C und ein Stromübertragungsverhältnis (CTR), das in verschiedene Gruppen durch die Teilenummer selektiert wird.

Merkmale

  • Breiter Umgebungstemperaturbereich von -40 °C bis +110 °C
  • Zulassungen durch die Agentur
    • UL 1577
    • cUL
    • DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5)
    • CQC
    • BSI
    • FIMKO
  • Gehäuse mit niedrigem Profil (Half Pitch)
  • 3750VRMS AC Isolationstestspannung
  • Geringe Koppelkapazität von typ. 0,3 pF (typ.)
  • Stromtransferrate (CTR) in Gruppen unterteilt
  • Niedriger Temperaturkoeffizient des CTR

Applikationen

  • Speicherprogrammierbare Steuerungen
  • Modems
  • Anrufbeantworter
  • Allgemeine Applikationen

Technische Daten

  • CTR %
    • TCMT1110 (VCE = 5V, IF = 5mA): 50 %/600 % (min./max.)
    • TCMT1113 (VCE = 5V, IF = 10mA): 100 %/200 % (min./max.)
    • TCMT1116 (VCE = 5 V, IF = 5 mA): 100 %/300 % (min./max.)
    • TCMT1117 (VCE = 5V, IF = 5mA): 80 %/160 % (min./max.)
    • TCMT1118 (VCE = 5V, IF = 5mA): 130 %/260 % (min./max.)
    • TCMT1119 (VCE = 5 V, IF = 5 mA): 200 %/400 % (min./max.)
  • Sperrspannung (VR) von 6V
  • Durchlassstrom (IF) von 50 mA
  • 1,5A Durchlassstoßstrom (IFSM) (tP ≤ 10μs)
  • Verlustleistung (Pdiss) von 80 mW
  • Sperrschichttemperatur (Tj) von +125 °C

Schaltplan

Schaltplan - Vishay Semiconductors TCMT111x Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler

Abmessungen

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors TCMT111x Fototransistor-Ausgangs-Optokoppler
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-12 | Aktualisiert: 2026-02-16