MDmesh Halbleiter

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Menge RoHS
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
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Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 1.6 Ohm max., 600 V, MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 278 mOhm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000