GigaDevice NAND-Flash

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
591Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
708Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel


GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
938Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
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Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
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Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray