Neueste Bipolartransistoren - BJT

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Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
12.30.2024
AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
07.04.2024
Bietet niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und hohen Kollektorstrom Fähigkeit.
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
11.02.2023
Erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen.
Nexperia BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse
Nexperia BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse
07.06.2023
Kleiner Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenplatz benötigt und mehr Gestaltungsfreiheit ermöglicht.
Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP-abgestimmte Doppeltransistoren
Nexperia PMP3906AYS/-Q PNP/PNP-abgestimmte Doppeltransistoren
09.12.2022
Verfügen über eine Stromverstärkung und eine Basis-Emitter-Spannungsanpassung.
Nexperia SOT323 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
Nexperia SOT323 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
Oberflächenmontierbares Kunststoffgehäuse mit 3 Anschlüssen, 1,3 mm Raster, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm Gehäuse.
Nexperia SOT8009 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
Nexperia SOT8009 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
Ein unbedrahtetes, ultrakleines Kunststoffgehäuse mit seitlich benetzbaren Flanken (SWF).
Nexperia SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
Nexperia SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
In einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen enthalten: 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.
Nexperia SOT8015 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
Nexperia SOT8015 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
Bietet ein unbedrahtetes, extrem dünnes Kunststoffgehäuse mit kleinen Konturen und seitlich benetzbaren Flanken (SWF).
Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN-Transistor mit niedrigem VCEsat
Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN-Transistor mit niedrigem VCEsat
05.16.2022
Verfügt über eine sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen hohen Wirkungsgrad aufgrund der geringeren Wärmeerzeugung.
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Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
03.05.2025
Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.
onsemi NST807 Universal-PNP-Transistoren
onsemi NST807 Universal-PNP-Transistoren
03.03.2025
Leistungsstarke, zuverlässige Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung und schnellen Schaltgeschwindigkeiten
onsemi NST817 Universal-NPN-Transistoren
onsemi NST817 Universal-NPN-Transistoren
03.03.2025
Eine zuverlässige Lösung für Schaltungsdesigns, die einen effizienten und wirksamen Transistorbetrieb erfordern.
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
12.30.2024
AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.
onsemi NSS100xCL Universal-Transistoren mit niedrigem VCE (sat)
onsemi NSS100xCL Universal-Transistoren mit niedrigem VCE (sat)
12.20.2024
Hochleistungs-Sperrschicht-Bipolartransistoren, die für Fahrzeuganwendungen und anspruchsvolle Applikationen konzipiert sind.
Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE
Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE
11.14.2024
Verfügt über eine proprietäre Struktur für eine extrem niedrige VCE (SAT)-Leistung.
onsemi NST856MTWFT PNP-Transistoren
onsemi NST856MTWFT PNP-Transistoren
10.22.2024
65 V, 100 mA Bauteile, die für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt sind.
onsemi BCP53M PNP-Transistor im mittleren Leistungsbereich
onsemi BCP53M PNP-Transistor im mittleren Leistungsbereich
10.18.2024
Für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und in einem DFN2020-3-Gehäuse untergebracht.
onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren Leistungsbereich
onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren Leistungsbereich
10.18.2024
Für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und in einem DFN2020-3-Gehäuse untergebracht.
onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren
onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren
10.17.2024
Für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt, die im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht sind.
onsemi NSS40300CT Bipolartransistoren
onsemi NSS40300CT Bipolartransistoren
10.07.2024
Verfügen über eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) und eine hohe Stromverstärkungsleistung.
onsemi NST846MTWFT NPN-Transistor
onsemi NST846MTWFT NPN-Transistor
10.07.2024
Wird bei 65 V, 100 mA betrieben und ist für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt.
onsemi NSV1C300CT Bipolarleistungstransistor
onsemi NSV1C300CT Bipolarleistungstransistor
10.04.2024
Verfügen über eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) und eine hohe Stromverstärkungsleistung.
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren
07.04.2024
Bietet niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und hohen Kollektorstrom Fähigkeit.
onsemi e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung
onsemi e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung
07.01.2024
Diese SMD-Bauteile zeichnen sich durch eine extrem niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hohe Stromverstärkungsfähigkeit aus.
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor
04.11.2024
AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.
onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE
onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE
01.30.2024
Für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und verfügt über eine niedrige VCE <0,5 V.
onsemi NSV40301MZ4 Bipolarer Leistungstransistor
onsemi NSV40301MZ4 Bipolarer Leistungstransistor
12.29.2023
NPN-Transistor mit einer Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und niedriger VCE (sat) mit hohem Gain.
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors
11.10.2023
Offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA.
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
11.02.2023
Erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen.
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN Transistor
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN Transistor
09.25.2023
AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) in an SOT-363 package.
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier Transistor
09.25.2023
AEC-Q101 qualified general-purpose Bipolar Junction Transistor (BJT) in a SOT-23 package.
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP Transistor
09.25.2023
AEC-Q101 qualified Bipolar Junction transistor (BJT) with 200mW power dissipation.
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor
09.25.2023
AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with 600mA collector current.
Nexperia BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse
Nexperia BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse
07.06.2023
Kleiner Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenplatz benötigt und mehr Gestaltungsfreiheit ermöglicht.
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