4834 Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 PNP Single 30 V 30 V 5 V 75 mV 200 mW - 65 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 PNP Single 30 V 30 V 5 V 75 mV 200 mW - 65 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape