Galvanisch isolierte Gate-Treiber

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Serie Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vf - Durchlassspannung If - Durchlassstrom Isolierungsspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Verzögerungszeit - Max. Anstiegszeit Abfallzeit Qualifikation Verpackung
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800

5 kV AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STGAP2S Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver IGBTs 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SO-16 1 Channel 5.7 kV - 40 C + 125 C 95 ns 20 ns 18 ns Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver SiC 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SO-16 1 Channel 5.7 kV - 40 C + 125 C 95 ns 20 ns 18 ns Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated gate driver IGBTs 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 225
Mult.: 1 225

SMD/SMT SO-16 1 Channel 5.7 kV - 40 C + 125 C 95 ns 20 ns 18 ns Tube
STMicroelectronics Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive advanced isolated gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

AEC-Q100 Tube
Analog Devices Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated Prec Half-Bridge Driver, 4A Out Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ADUM3223 SMD/SMT SOIC-16 - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Analog Devices Galvanisch isolierte Gate-Treiber 3kV Isolated Prec Half-Bridge Driver, 4A Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

ADUM3224 SMD/SMT SOIC-16 - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
Texas Instruments Galvanisch isolierte Gate-Treiber Extended temperature range isolated swi Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TPSI3050M SMD/SMT SO-MOD-8 1 Channel 5000 Vrms - 55 C + 125 C 350 mW 4.5 us 6 ns 5 ns Reel
Texas Instruments Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 5.7kVrms +-10A single-channe Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 5700 Vrms - 40 C + 125 C 985 mW 130 ns 33 ns 27 ns Reel
Texas Instruments Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 5.7kVrms +-10A single-channe Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT SOCI-16 1 Channel 5700 Vrms - 40 C + 125 C 985 mW 130 ns 33 ns 27 ns Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Galvanisch isolierte Gate-Treiber single channel isola ted gate driver with Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT SOIC-16 1 Channel 20 mA 5000 Vrms - 40 C + 125 C 720 mW 150 ns 15 ns 15 ns Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Galvanisch isolierte Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Galvanisch isolierte Gate-Treiber LEVEL SHIFT DRIVER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT VDSON-8-5 - 40 C + 150 C 50 ns 195 ns 106 ns Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel