4402 Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Microchip Technology Pin-Dioden 50MHz - 12 GHz PIN Diode 2 us
Datenblatt
2 646Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

PIN Diodes Si SMD/SMT 0805
Vishay / Siliconix MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
Datenblatt
12 383Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Datenblatt
2 834Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S
onsemi ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden Low Cap. 4 line EMI Filter w/ESD
Datenblatt
4 394Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

DFN-8
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs
Microchip Technology Pin-Dioden Fast SMT MRI Protect PIN Diode 20ns
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

PIN Diodes Si SMD/SMT GM3
Microchip Technology Pin-Dioden Si Limiter Non Hermetic Plastic SMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

PIN Diodes Si SMD/SMT GM2
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MPP4402-206
Microchip Technology Pin-Dioden Si PIN Non Hermetic MMSM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
Min.: 500
Mult.: 100
PIN Diodes Si
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MML4402-GM2/TR
Microchip Technology Pin-Dioden Si Limiter Non Hermetic Plastic SMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

PIN Diodes
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MPP4402-206/TR
Microchip Technology Pin-Dioden Si PIN Non Hermetic MMSM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
PIN Diodes Si
Microchip Technology Pin-Dioden Fast SMT MRI Protect PIN Diode 20ns
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 45 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

PIN Diodes Si SMD/SMT GM2
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

MOSFETs Si
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia MOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
Datenblatt
2 427Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Microchip Technology MMP4402-GM2/TR
Microchip Technology Pin-Dioden Si PIN Non Hermetic Plastic SMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

PIN Diodes
Nexperia Zener-Dioden BZX84-C8V2/SOT23/TO-236AB
Datenblatt
27 911Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Zener Diodes SMD/SMT SOT-23-3
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR
Datenblatt
63 647Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 42 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3