APC-E SiC-MOSFETs

Ergebnisse: 20
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
APC-E SiC-MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
262Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
270Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
290Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
290Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC-MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement

APC-E SiC-MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC-MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC-MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C