H1200 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
Datenblatt
19Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .52A
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel