CSD17313Q2 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
Datenblatt
24 887Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 920
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
Datenblatt
729Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 280
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 32 mOhms - 8 V, 10 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel