CSD23382F4 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T
Datenblatt
9 745Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2 150
: 3 000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 76 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs P-Ch NexFET Power MO SFET A 595-CSD23382 A 595-CSD23382F4
Datenblatt
2 913Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 199 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel