CSD85301Q2 Serie MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
Texas Instruments MOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2 396Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 5 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 450
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 8 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel