IXFT80N08 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 80 Amps 80V 0.009 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 9 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET, INTR DIODE 85V, 80A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 85 V 80 A 9 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube