UJ4SC Serie SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
Datenblatt
1 207Auf Lager
800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/5MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
857Auf Lager
1 884Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
1 303Auf Lager
1 970Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
1 475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-
Datenblatt
444Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263
Datenblatt
322Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247
Datenblatt
536Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-
Datenblatt
5Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/10MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO247-
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 31 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET