STMicroelectronics MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 278 mOhm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 308 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 278 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N- channel 40 V, 1.7 mOhm max., 203 A STripFET F8 Power MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 15 A 255 mOhms 18 nC Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 209 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 206 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel logic level 60 V, 1.3 mOhm max., 268 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 268 A 2 mOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350 A STripFET F8 Power MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 360 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 140 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 124 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 75 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 60 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 pa Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 7.0 mOhm typ., 64 A STripFET F7 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 5.9 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel