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STR2N2VH5

Name: STMicroelectronics STR2N2VH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STR2N2VH5
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STR2N2VH5

Herst.- Nr.:

STR2N2VH5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V

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Datenblatt:

STR2N2VH5 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,963	€ 0,96
	€ 0,685	€ 6,85
	€ 0,459	€ 45,90
	€ 0,359	€ 179,50
	€ 0,324	€ 324,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,267	€ 801,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	700 mV
Qg - Gate-Ladung:	6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	350 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STR2N2VH5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

STR2N2VH5 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
Weitere Informationen

STMicroelectronics STripFET V Power MOSFETs

STripFET V™ Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Die fortschrittliche Planartechnologie eignet sich ideal für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad, der die Gütezahl (Figure of Merit, FoM) verbessert. Sie zeichnen sich durch Hochstrom- und niedrigen R_DS(on)-Eigenschaften aus, die für Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen erforderlich sind. Die fortschrittliche Planartechnologie dieser Module eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.