DRAM

DRAM
DRAM von branchenführenden Herstellern sind bei Mouser Electronics erhältlich. Mouser ist ein autorisierter Distributor für viele verschiedene Hersteller von DRAM einschließlich Alliance Memory, ISSI, & Lattice. Sehen Sie unten unsere große Auswahl an DRAM.
Ergebnisse: 2 944
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies S70KS1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory NRE-TI-RDL- APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42RM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile BGA-90 IS42RM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile BGA-54 IS42VM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 16M, EDO DRAM, Async, 1Mx16, 50ns, 44(50) pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

EDO DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-50-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16100D Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 16M, Fast Page Mode DRAM, Async, 1Mx16, 50ns, 44(50) pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

FPM DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-II-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Reel