Diodes Inc.

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Diodes Incorporated DMN31D5UWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT323 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated DMN31D5UWQ-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT323 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated DMN3401LT-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated DMN3401LT-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated DMN34D0UDW-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT363 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated DMN34D0UDW-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT363 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated DMN34D0UDWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT363 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated DMN34D0UQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated DMP1009UFDFW-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Diodes Incorporated DMP1009UFDFW-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated DMP2040UFDFW-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Diodes Incorporated DMP2040UFDFW-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated DMP2110UWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated DMP3012SPSWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated DMT10H003SPSWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated DMT10H020SDG-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated DMT10H020SDG-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 2K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Diodes Incorporated DMT10H020SDGQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated DMT10H020SDGQ-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 2K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Diodes Incorporated DMT18H125LBG-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 101V 250V V-DFN3333-8 T&R 2K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated DMT20H175LBG-7
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 101V 250V V-DFN3333-8 T&R 2K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated DMT31M4LFVW-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated DMT31M8LSS-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated DMT31M8LSSQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated DMT31M9LSS-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500