Qorvo QPD2080D 800 µm diskreter GaAs-pHEMT
Der QD2080D 800 µm diskrete GaAs pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) von Qorvo hat eine DC-Betriebsfrequenz von 20 GHz. Der QPD2080D liefert typischerweise eine Ausgangsleistung von 29,5 dBm bei P1 dB mit einer Verstärkung von 11,5 dB und einem Wirkungsgrad von 56 % bei 1 dB Kompression. Dank dieser Leistung eignet sich der QPD2080D für hocheffiziente Anwendungen.
Der QPD2080D ist mit einem 0,25-µm-Leistungs-pHEMT-Produktionsprozess ausgelegt. Dieser Prozess verfügt über fortschrittliche Techniken zur Optimierung der Mikrowellenleistung und des Wirkungsgrads bei hohen Drain-Bias-Betriebsbedingungen.
Der QPD2080D GaAs-pHEMT von Qorvo wird in einem 0,41 mm x 0,54 mm x 0,10 mm großen unbestückten Chip angeboten. Das Gerät ist mit einer Schutzschicht aus Siliziumnitrid versehen, die eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und einen hohen Kratzschutz bietet.
Merkmale
- Frequenzbereich: DC bis 20 GHz
- 29,5 dBm typische Ausgangsleistung P1 dB
- 11,5 dB typische Verstärkung bei 12 GHz
- 56 % typische PAE bei 12 GHz
- 1 dB typischer Rauschfaktor bei 12 GHz
- 8-V-Drain-Spannung
- 130 mA Drainstrom
- 0,25 µm GaAs pHEMT-Technologie
- 0,41 mm x 0,54 mm x 0,10 mm unbestückter Chip
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Kommunikation
- Radar
- Punkt-zu-Punkt-Funk
- Satellitenkommunikationssysteme
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