Qorvo QPD2160D 1.600 µm diskreter GaAs-pHEMT
Der Qorvo QPD2160D diskrete 1.600-µm -GaAs-pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) verfügt über eine Betriebsfrequenz von DC bis 20 GHz. Der QPD2160D bietet bei P1dB eine Ausgangsleistung von 32,5 dBm mit einer Gain von 10,4 dB und einen leistungsverstärkenden Wirkungsgrad von 63 % bei einer Kompression von 1 dB. Dank dieser Leistung eignet sich der QPD2160D für hocheffiziente Anwendungen.
Der QPD2160D ist mit einem 0,25-µm-Leistungs-pHEMT-Produktionsprozess ausgelegt. Dieser Prozess verfügt über fortschrittliche Techniken zur Optimierung der Mikrowellenleistung und des Wirkungsgrads bei hohen Drain-Bias-Betriebsbedingungen.
Der QPD2160D GaAs-pHEMT von Qorvo wird in einem unbestückten Chip von 0,41 mm x 0,54 mm x 0,10 mm angeboten. Das Gerät ist mit einer Schutzschicht aus Siliziumnitrid versehen, die eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und einen hohen Kratzschutz bietet.
Merkmale
- Frequenzbereich: DC bis 20 GHz
- 32,5 dBm typische Ausgangsleistung P1 dB
- 10,4 dB typische Verstärkung bei 12 GHz
- 63 % typische PAE bei 12 GHz
- 1 dB typischer Rauschfaktor bei 12 GHz
- 8-V-Drain-Spannung
- 258 mA Drainstrom
- 0,25 µm GaAs pHEMT-Technologie
- 0,41 mm x 0,54 mm x 0,10 mm unbestückter Chip
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Kommunikation
- Radar
- Punkt-zu-Punkt-Funk
- Satellitenkommunikationssysteme
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