MOSFET HF-Transistoren

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Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120
Rolle: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 160
Mult.: 160
Rolle: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 200 V 250 MHz 14.8 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch 65 Volt 4 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch 65 Volt 4 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch 65 Volt 5 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120
Rolle: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Toshiba MOSFET HF-Transistoren N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET HF-Transistoren Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba MOSFET HF-Transistoren Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel