MOSFET HF-Transistoren

Ergebnisse: 627
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung Technologie Id - Drain-Gleichstrom Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Rds On - Drain-Source-Widerstand Betriebsfrequenz Verstärkung Ausgangsleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung

CML Micro MOSFET HF-Transistoren
10Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro MOSFET HF-Transistoren
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM MOSFET HF-Transistoren RF LDMOS FET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM MOSFET HF-Transistoren RF LDMOS FET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
Mini-Circuits MOSFET HF-Transistoren MMIC AMPLIFIER N/A
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

N-Channel GaAs 120 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 18.6 dB 20.7 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 1

N-Channel Si 13 A 1 kV 1 Ohms 45 MHz 16 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2 Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 1

N-Channel Si 15 A 500 V 100 MHz 16 dB 400 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208 Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 36 A 170 V 175 MHz 16 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT SOE-4
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Power Trans N-Channel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. N-Ch Trans Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. N-Ch Trans Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel