IXFN82N60 Serie MOSFET-Module

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module DIODE Id82 BVdass600
Datenblatt
165Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.04 kW IXFN82N60 Tube
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
Datenblatt
244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 960 W IXFN82N60 Tube