IXYS MOSFETs

Ergebnisse: 1 577
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Datenblatt
8 999Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET
Datenblatt
1 148Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Datenblatt
2 003Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V
Datenblatt
903Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
Datenblatt
344Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
IXYS MOSFETs PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
Datenblatt
267Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
Datenblatt
3 737Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 85 V 96 A 13 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 180 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
1 540Auf Lager
75Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
Datenblatt
305Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 2.5 kV 1.5 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
Datenblatt
66Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 264 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
Datenblatt
1 111Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 1 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 17.6 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Datenblatt
290Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Datenblatt
255Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
Datenblatt
194Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
186Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Datenblatt
413Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 240 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 546 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement LinearL2 Tube
IXYS MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Datenblatt
158Auf Lager
90Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXTA130N10T TRL
Datenblatt
888Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchMV Reel, Cut Tape
IXYS MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
Datenblatt
586Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 8 Amps 1500V
Datenblatt
398Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 8 V 250 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 360Amps 55V
Datenblatt
518Auf Lager
530Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Datenblatt
660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Datenblatt
1 128Auf Lager
780Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Datenblatt
499Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube