PolarHT MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
Datenblatt
390Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
Datenblatt
4 629Auf Lager
2 050Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
347Auf Lager
168Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datenblatt
4Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 42 Amps 250V 0.084 Rds
Datenblatt
287Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
Datenblatt
549Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
Datenblatt
1 192Auf Lager
1 225Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Datenblatt
673Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Datenblatt
353Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
Datenblatt
54Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
Datenblatt
302Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
Datenblatt
39Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
Datenblatt
290Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Datenblatt
900Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
Datenblatt
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
Datenblatt
Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs POLAR HT MOSFET 150V 120A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs IXTA16N50P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel
IXYS MOSFETs IXTA36N30P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel, Cut Tape
IXYS MOSFETs IXTA42N25P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel
IXYS MOSFETs IXTA50N20P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Reel