Neu Dioden u. Gleichrichter

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H RailClamp® ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt. Die ESD-Schutzvorrichtungen mit niedriger Kapazität weisen vorteilhafte Eigenschaften für den Schutz auf Board-Ebene auf, unter anderem eine schnelle Anschwingzeit, sowie eine niedrige Betriebs- und Klemmspannung, ohne dass die Bauelemente beeinträchtigt werden.
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Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-DiodenSchützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.03.07.2025 -
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-SchutzESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.03.07.2025 -
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller ErholungszeitSie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.02.07.2025 -
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY BarrierediodenDiese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.01.07.2025 -
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IRVerfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.30.06.2025 -
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster SolutionsProvides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.30.06.2025 -
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-DiodeUmfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.27.06.2025 -
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-SchutzdiodeEntwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.27.06.2025 -
Littelfuse DFNAK3 TVS-DiodenBietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.23.06.2025 -
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-DiodenVerfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.18.06.2025 -
Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.04.06.2025 -
Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.04.06.2025 -
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).03.06.2025 -
Littelfuse 5.0SMDJ-FB TVS-DiodenSpeziell zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor Spannungsspitzen entwickelt.21.05.2025 -
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge RectifierOffers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.20.05.2025 -
Nexperia ES1D-Gleichrichter mit superschneller Recovery200 V 1-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1001-1 SMA-Gehäuse eingekapselt.07.05.2025 -
Nexperia ES2D-Gleichrichter mit superschneller Recovery2-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1002-1 SMB-Gehäuse eingekapselt.07.05.2025 -
Nexperia ES3D-Gleichrichter mit superschneller Recovery200 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.07.05.2025 -
APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier DiodesDelivers superior power handling, high-frequency/-temp operation, and reduced capacitive charge.06.05.2025 -
Nexperia ES1B Gleichrichter mit superschneller Recovery100 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.02.05.2025 -
Nexperia ES1J Hyperschnelle Recovery-Gleichrichter600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.02.05.2025 -
Bourns PTVS3-066C-TH Hochstrom-Leistungs-TVS-Diode3 kA, 8/20µs überspannungsfähige Diode, die für den Einsatz in Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen ausgelegt ist.30.04.2025 -
Nexperia US1M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter1.000 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia US3M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter1.000 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia US1J Ultraschneller Recovery-Gleichrichter600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
