Neu Diskrete Leistungsmodule

Die intelligenten Leistungsmodule (IPMs) der Baureihe NFAM von onsemi sind hochintegrierte, kompakte Lösungen, die für effiziente und zuverlässige Motorsteuerung in Industrie- und Verbraucheranwendungen konzipiert sind. Diese IPMs von onsemi vereinen Gate-Treiber, Schutzfunktionen und Leistungstransistoren (typischerweise IGBTs oder MOSFETs) in einem einzigen Gehäuse, wodurch das Design vereinfacht und der Platzbedarf auf der Platine reduziert wird. Mit Spannungswerten von 600 V oder 1.200 V und Stromfähigkeiten von 10 A bis 75 A unterstützt die Baureihe NFAM eine große Auswahl von Motortypen und Leistungsstufen. Zu den wichtigsten Funktionen gehören die Unterspannungssperre, der Überstromschutz, die Fehlermeldung und das optimierte Betriebsverhalten. Diese Module sind ideal für Applikationen wie HVAC-Systeme, Waschmaschinen, Industriepumpen und Lüfter und bieten einen verbesserten Wirkungsgrad, reduzierten EMI und robusten Schutz in anspruchsvollen Umgebungen.
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onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.23.06.2025 -
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-ModulDas Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.23.05.2025 -
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-LeistungsmoduleAutomotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.14.05.2025 -
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-DiodenmodulDas 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.25.03.2025 -
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power ModulesRobust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.20.02.2025 -
Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBTMade for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.28.11.2024 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETsBieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.28.11.2024 -
Wolfspeed 2.300-V-Siliziumkarbid-LeistungsmoduleDiese Bauteile sind 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule ohne Basisplatte für V-Bus-Applikationen von 1.500 V.08.10.2024 -
onsemi NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-ModuleEnthält 8 mΩ, 10 mΩ, 15 mΩ und 30 mΩ/ 1200 V M3S MOSFETs, die auf der Halbbrücken-Topologie basieren.28.08.2024 -
onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule1.200 V, 800 A eingestuftes Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul, ideal für Motor-/Servo-/Solarantriebe und USV.26.08.2024 -
onsemi NVVR26A120M1WSx Siliziumkarbid(SiC)-ModuleTeil von VE-Trac™ hochintegrierte B2-SiC-Leistungsmodule für EV/HEV-Traktionswechselrichter-Applikationen.14.08.2024 -
Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET-HalbbrückemoduleAusgelegt für Applikationen mit 1,7 kV bis 3,3 kV zur Maximierung der Strombelastbarkeit.09.08.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging SolutionsSupports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.01.08.2024 -
Infineon Technologies EasyPACK™ 2B-IGBT-LeistungsmoduleSkalierbare Leistungsmodullösung mit flexiblem Pin-Systemraster perfekt für die Anpassung des Layouts/Pinbelegung.31.07.2024 -
Wolfspeed Verfügt über SiC-Halbbrückenmodule für raue UmgebungenSiC-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen in einem 62 mm-Industriestandard-Gehäuse.25.07.2024 -
Wolfspeed DM-SiC-HalbbrückenmoduleDiese Bauelemente bieten bei einer sehr niedrigen Masse und ind einem niedrigen Formfaktor mit niedrigem Volumen eine hohe Strombelastbarkeit.25.06.2024 -
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 ModuleKompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.18.06.2024 -
Microchip Technology Hochspannungs-Si-DiodenmoduleUmfassen verschiedene Halbleiter-Schaltungstopologien, Nennspannungen und Nennströme sowie Gehäuse.05.06.2024 -
Vishay VS-SC SOT-227 SiC-Schottky-Barriere-DiodenBreitbandlücken-Schottky-Dioden von 650 V / 1.200 V, die für eine hohe Leistungsfähigkeit und Robustheit ausgelegt sind.17.05.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) MIF400R065C2TL 650V/400A IGBT ModuleTwo-in-one module that combines dual IGBT devices and rugged performance in a C2 package.14.05.2024 -
onsemi NFAM3512L7B Intelligentes Leistungsmodul (IPM)Bietet eine vollständig ausgestattete, leistungsstarke Wechselrichter-Ausgangsstufe für AC-Induktions-, BLDC- und PMSM-Motoren.23.04.2024 -
SemiQ GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-VollbrückenmoduleIdeal für Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.21.03.2024 -
SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-HalbbrückenmoduleGeringe Schaltverluste, niedriger thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und sehr robuste und einfache Montage.21.03.2024 -
onsemi NVH950S75L4SPx IGBT-LeistungsmoduleLeistungsstarke einseitige Dreiphasen-6-Pack-Automotive-Module mit direkter Kühlung und 750 V sowie 950 A.11.03.2024 -
onsemi NVH660S75L4SPFx 6-Pack-IGBT-ModuleEinseitige Kühlmodule mit flacher Grundplatte für einen implementierten Strom von 750 V und 660 A für Fahrzeuganwendungen.11.03.2024 -
