Neu MOSFET-Module
Das NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid-Modul von onsemi umfasst eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücken-Topologie und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse. Dieses Leistungsmodul hat eine +22 V/-10 V Gate-Quellspannung, 77 A Dauersenkenstrom bei TC = 80 °C (TJ = 175 °C), 198 W maximalen Leistungsverlust und 12,7 mm Kriechstrecke. Der NXH015F120M3F1PTG SiC-MOSFET wird mit vorinstalliertem Wärme-Ableitungsmaterial (TIM) und ohne vorinstalliertem TIM geliefert. Das SiC-Modul ist bleifrei, halogenfrei und RoHs-konform. Typische Applikationen umfassen ein Solar-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industriestrom.
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onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-ModulDas Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.23.05.2025
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Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-LeistungsmoduleAutomotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.14.05.2025 -
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power ModulesRobust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.20.02.2025 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETsBieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.28.11.2024 -
onsemi NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-ModuleEnthält 8 mΩ, 10 mΩ, 15 mΩ und 30 mΩ/ 1200 V M3S MOSFETs, die auf der Halbbrücken-Topologie basieren.28.08.2024 -
onsemi NVVR26A120M1WSx Siliziumkarbid(SiC)-ModuleTeil von VE-Trac™ hochintegrierte B2-SiC-Leistungsmodule für EV/HEV-Traktionswechselrichter-Applikationen.14.08.2024 -
Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET-HalbbrückemoduleAusgelegt für Applikationen mit 1,7 kV bis 3,3 kV zur Maximierung der Strombelastbarkeit.09.08.2024 -
Wolfspeed DM-SiC-HalbbrückenmoduleDiese Bauelemente bieten bei einer sehr niedrigen Masse und ind einem niedrigen Formfaktor mit niedrigem Volumen eine hohe Strombelastbarkeit.25.06.2024 -
SemiQ GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-VollbrückenmoduleIdeal für Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.21.03.2024 -
SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-HalbbrückenmoduleGeringe Schaltverluste, niedriger thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und sehr robuste und einfache Montage.21.03.2024 -
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET-ModulKompaktes Zweiphasen-Dual-Halbbrücken- und Automotive-Leistungs-MOSFET-Modul von 80 V.04.03.2024 -
onsemi NXV08H300DT1 MOSFET-ModulKompakt gebautes Zweiphasen-Dual-Halbbrücken-Automotive-Leistungs-MOSFET-Modul von 80 V.04.03.2024 -
onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSic LeistungsmoduleVerbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Gesamtleistung.08.02.2024 -
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC LeistungsmoduleBieten eine verbesserte Leistung, einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Leistungsdichte in einem kompakten und kompatiblen Gehäuse.08.02.2024 -
Infineon Technologies 1200 V CoolSiC™-M1H-ModuleBietet Möglichkeiten für Entwickler von Ladestationen für Elektrofahrzeuge und anderen Wechselrichtern.05.12.2023 -
onsemi EliteSiC Halbbrückenmodule NXH00xP120M3F2PTxGVerfügt über zwei 1200-V-SiC-MOSFET-Schalter mit 3 mΩ oder 4 mΩ und einen Thermistor mit HPS DBC oder Si3N4 DBC.23.11.2023 -
onsemi NXH008T120M3F2PTHG Siliziumkarbid (SiC) -ModulT-Typ neutralpunktgeklemmtes Wechselrichtermodul (TNPC) basierend auf den 1200V M3S-Planer-SiC-MOSFETs.09.11.2023 -
STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LAEntwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.19.10.2023 -
onsemi NXV10Vx Dreiphasen-Automotive-Leistungs-MOSFET-ModuleFür das Leistungsmanagement mit hohem Wirkungsgrad in Fahrzeuganwendungen konzipiert07.10.2023 -
onsemi NVXK2VR80WxT2 Siliziumkarbid(SiC)-Module1200 V, 80 mΩ Dreiphasen-Brückenleistungsmodule, die in einem DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht sind.31.08.2023 -
onsemi NVXK2VR40WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul1.200 V, 40 mΩ und 55 A Dreiphasen-Brückenleistungsmodul, das in einem Dual-Inline-Gehäuse (DIP) untergebracht ist.31.08.2023 -
onsemi NVXK2PR80WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul1.200 V, 80 mΩ und 31 A Vollbrücken-Leistungsmodul, das in einem Dual-Inline-Gehäuse (DIP) untergebracht ist.31.08.2023 -
onsemi EliteSiCErfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.15.03.2023 -
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power ModuleThe module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.09.03.2023 -
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power ModuleThe module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.09.03.2023