Neu Gleichrichter
Die Super Fast Recovery Dioden von ROHM Semiconductor wurden entwickelt, um den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen zu verbessern. Diese Dioden zeichnen sich durch planares Silizium-Epitaxiesystem, niedrige Durchlassspannung und geringe Schaltverluste aus. Diese RFNxLBxS sind ideal für allgemeine Applikationen.
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ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller ErholungszeitSie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.02.07.2025
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Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).03.06.2025 -
Nexperia ES1D-Gleichrichter mit superschneller Recovery200 V 1-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1001-1 SMA-Gehäuse eingekapselt.07.05.2025 -
Nexperia ES2D-Gleichrichter mit superschneller Recovery2-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1002-1 SMB-Gehäuse eingekapselt.07.05.2025 -
Nexperia ES3D-Gleichrichter mit superschneller Recovery200 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.07.05.2025 -
Nexperia ES1B Gleichrichter mit superschneller Recovery100 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.02.05.2025 -
Nexperia ES1J Hyperschnelle Recovery-Gleichrichter600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.02.05.2025 -
Nexperia US1M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter1.000 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia US3M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter1.000 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia US1J Ultraschneller Recovery-Gleichrichter600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia MURS160B Ultraschneller Recovery-Gleichrichter600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia GS10M Recovery-Gleichrichter1.000 V, 10 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia FR2M Gleichrichter mit schneller Recovery1.000 V, 2 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia FR2JA Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung600 V, 2 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia MURS160A Ultraschneller Recovery-Gleichrichter600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia GS8M Wiederherstellungsgleichrichter1.000 V, 8 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia GS5MB Wiederherstellungsgleichrichter1.000 V, 5 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.28.04.2025 -
Nexperia GS1M Wiederherstellungsgleichrichter1.000 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.28.04.2025 -
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für AutomobilapplikationenVerfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.14.04.2025 -
Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated RectifiersOffers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.03.04.2025 -
Vishay VS-EBU15006HN4 Ultraschnelle Sanft-Freilaufdiode150-A-Diode, die zur Reduzierung von Verlusten und EMI/RFI in Hochfrequenz-Leistungsregelungssystemen optimiert ist.25.03.2025 -
onsemi Maschinelles SehenEine breite Palette von Bildsensorlösungen, von VGA bis 45MP, für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung.18.03.2025 -
Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETsEnhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.05.03.2025 -
Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount RectifiersFeature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.30.01.2025 -
Taiwan Semiconductor PSAD Super Fast Surface Mount RectifiersFeature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.30.01.2025